Beschreibung
Die Abteilung für Mikroelektronische Materialien und Nanoanalyse am Fraunhofer IKTS arbeitet im Bereich der mikro- und nanoelektronischen Materialien, fortschrittlichen Charakterisierungstechniken sowie der Technologie- und Methodenentwicklung. Die Gruppe konzentriert sich auf ein tiefgehendes Verständnis von Materialien und Fertigungstechnologien mithilfe von multiskaligen Charakterisierungstechniken, Mikro- und Nanoanalysen bis hinunter zur Nanometerskala, mikro- und nanomechanischen Materialtests und der Entwicklung von in-situ-Methoden in Elektronen- und Röntgenmikroskopen. Ein neues Themengebiet stellt die Analytik an Widebandgap-Halbleitermaterialien wie Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und Galliumarsenid (GaAs) dar. Ein zentrales Ziel ist dabei die Bestimmung der Defektdichte, um die Qualität der Materialien quantitativ bewerten zu können. Das Fraunhofer IKTS beschäftigt sich im Projekt SAXCRYSTALPOWER mit der Herstellung und Analyse des Widebandgap-Halbleitermaterials SiC. Im Rahmen der EFRE InfraProNET-Förderung (Förderkennzeichen 100703912) soll ein (Raster-) Transmissionselektronenmikroskops ((S)TEM) mit 300 kV Standardbeschleunigungsspannung angeschafft werden. Damit sollen nicht nur die Möglichkeiten zur Analyse der angesprochenen Widebandgap-Halbleitermaterialien geschaffen werden, sondern auch die bereits vorhandene Expertise in den Gebieten der Materialwissenschaften, Nanotechnologie usw. zukunftsfähig gemacht werden. Details entnehmen Sie den Vergabeunterlagen.